2019年内存市场走势，降价已成趋势

2018 年是不安的一年。过去一年eos内存价格走势图，电子元器件产业链经历了多次原材料短缺、涨价到供过于求、价格下跌的情况。内存市场也未能幸免。 2018年各大存储芯片厂商齐聚投资扩产，导致存储市场产能过剩、供过于求，导致消费类存储产品下滑过半，影响企业利润……

2018年，三星、SK海力士、美光、东芝、英特尔等全球知名存储芯片制造商在创新技术上展开激烈角逐，更在扩容等方面展开大战。

三星电子在内存方面的投资在 2018 年降至 99 亿美元，其中 DRAM 为 81 亿美元，NAND 为 18 亿美元。 SK 海力士在 2017 年创造了创纪录的 98 亿美元的资本支出，以扩大其下一代芯片和闪存的产能，并计划将其 2018 年的资本支出增加到 134 亿美元。美光的资本支出也高达 81 亿美元，但低于上述两家制造商。

2018 年，三星受益于 1x nm D

SK hynix 去年还宣布计划在其位于韩国利川的总部建立新的内存工厂。该工厂于2018年底开工建设，计划于2020年10月竣工。SK海力士计划在这家新工厂投资31.2亿美元。此外，SK海力士正在继续扩大利川M14工厂的产能。 SK海力士还计划于2018年9月底前完成清州新工厂的无尘室设备安装，计划于2019年初投产。此外，在中国，SK海力士计划完成无锡扩建2018年的工厂。

美光正准备在 2018-2019 年在其台湾工厂扩大其 10nm 级 DRAM 芯片的生产。美光位于台湾桃园县的工厂计划于 2018 年下半年进入 1Xnm 生产，并在年底前迁移至 1Ynm 工艺节点。台中厂将在2019年下半年放弃量产1Xnm产品后，转向更新的1Znm工艺。

东芝内存事业部于2018年在日本岩手县举行了BiCS 3D NAND闪存新工厂的奠基仪式。该工厂预计将于2019年底竣工，西部数据也参与了该项目就在去年夏天，东芝计划启动其位于四日市的 Fab6 工厂的第一阶段。此举有助于它在未来几个月内提高 BiCS 3D NAND 闪存的产量，预计 Fab6 的第二阶段将在 2019 年部署。

或许是战局过于激烈，市场预测不到位eos内存价格走势图，让内存厂商在2018年继续扩大内存芯片的产量，2018年NAND Flash的供应量增加了40%。

但没有人想到，2018年全年，三星、苹果智能手机出货量低于预期，国内手机市场竞争激烈，部分销量下滑。全球NAND Flash市场供过于求，闪存卡价格下降过半； SSD的价格下降了56%；而消费级NAND Flash的价格降幅最大。 ，价格同比下降高达 65%。

2018年全球智能手机出货量下降7%至14.5亿部，中国智能手机出货量下降15.5%至3.9亿部，其全球市场份额也下降到26.9%。

为改善市场需求关系，最大限度维护企业利润，各大厂商纷纷下调2019年的投资预算，推迟先进技术的扩产计划，并降低NAND闪存的增长率以控制价格下跌趋势。

看到这里，有人可能会说，既然内存市场产能过剩，那么相关产品会不会继续降价呢？其实内存市场需求还是很大的，为什么呢？

国际电子商务分析师认为，内存芯片的市场需求仍然很大。芯片厂商在2019年计划减产、推迟量产后，预计存储芯片市场将出现供过于求的局面。现状不会永远持续下去，但降价仍将是今年存储市场的关键词。

随着人们生活质量的提高，层出不穷的新产品出现在我们面前。除了手机、智能穿戴、家庭终端、电视、行车记录仪，智能机器人、AI助手、智能音箱等一些新兴产品也成为热门产品。这些消费类电子设备产品虽然速度不及手机、平板电脑，消耗大量内存芯片产能，但对内存的需求量仍然很大。

近年来，国内智能硬件行业销量呈现爆发式增长。随着物联网、云计算、人工智能等技术的不断发展，差异化的智能产品层出不穷，功能不断升级更新。 ，对存储芯片的需求将继续增加。相信随着人工智能逐渐深入人们的生活，云计算、大数据、移动互联网融合衍生的智能硬件产品得到广泛应用，未来内存市场仍有广阔的市场前景。